新闻中心

EEPW首页 > 手机与无线通信 > 设计应用 > 基于3G手机的RF屏蔽设计

基于3G手机的RF屏蔽设计

作者:时间:2011-05-13来源:网络收藏

  第二个关注的地方是微带线附近的场线,在靠近地平面的地方它们最强。只要和地平面间的距离明显大于微带线和地平面间的距离,则增加的的效用就微乎其微。线绑定和表贴电感与地平面的直接耦合要弱些,当施加时,预期其场线会有变化。图3显示的是3D模拟的E场分布。

  图3显示的是不带屏蔽的输出匹配的电磁模拟,其电场以伏/米表征。深红色意味着强场线,而深蓝色表示电场实质不存在。如所预料,表贴电感和绑定线附近的场线不那么稳固,所以,若在包注模上增加屏蔽则更可能对其产生影响。下一步是勾画并检测双口S参数模拟在带和不带屏蔽条件下相对于高阶谐波的任何变化。

  输出匹配的3D EM模拟(图4)揭示出在更高频率下共振的改变。在TxM内,电路远比简单的输出匹配复杂。另外,如在模拟中看到的,为规避高阶谐波所实现的高Q槽路所受到的影响将明显大于给单一共振带来的简单变化。



关键词: 屏蔽 设计 RF 手机 3G 基于

评论


相关推荐

技术专区

关闭