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一种带隙基准电压源的设计与仿真

作者:时间:2011-08-18来源:网络收藏

2 带隙源电路
2.1 带隙核心电路
带隙核心电路采用一阶补偿技术,温度系数一般能达到(10~20)×10-6℃。如图2所示,为本的带隙基准源的核心电路,图中用PMOS电流源作为偏置电流,由于MOS管的沟道长度调制效应会导致显著的电源依赖性。为解决这一问题,可利用共源共栅结构良好的屏蔽特性,电路中的电流源采用共源共栅结构。同时为减小运放失调电压的影响,可采用两个三极管级联的结构。运算放大器用来保证N1和N2两点的电位相等。根据理论分析可知,适当调整晶体管Q1~Q5的发射极面积和电阻R1~R5的电阻值,可产生与温度无关的基准电压VREF。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/155888.htm

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关键词: 仿真 设计 电压 基准

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