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场效应管及其在DX中波发射机中的应用

作者:时间:2012-03-07来源:网络收藏

2.3 功率MOS管在伺服控制板上的
图4是-600合成器伺服控制板上用到的调谐的驱动电路。其中由四只最大工作电压100V,电流16A的IRF350组成桥式放大驱动电路,放大前级输出的脉宽调制信号直接驱动调谐直流电机,传动调谐电容转动而达到改变其容量的目的。此外,调载驱动电路与此完全相同,二者同时动作实现合成器并机网络状态变化时的阻抗匹配调整。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/155197.htm

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2.4 功率MOS管在整流柜放电回路的
-600的单个200PB整流柜的主整功放电压虽然不高(250V),主整滤波电容由55只5100μF的电容分散并联组成,而且每只电容都并联了75kΩ的放电电阻,但其总体电容依然较大,
C=55x5100x10-6=0.2805(F)
相对于250V的储能为:
1/2(CU2)=1/2(0.2805x2502)=8765(J)
这还不包括120μH主整滤波电感、驱动级电容、二进制电容的储能,所以说从安全的角度考虑,如果在关机后不把储能迅速泻放,特别是处理故障时,对于维护人员来说具有相当大的隐患。所以HARRIS公司采用了如图5所示的放电电路,主要由IR生产的4只IRFP360功率MOS管Q1、Q2、Q3、Q4和与其相串联的大功率电阻R13、R14、R15、R16组成,当工作时,均不导通;关机后,来自电源控制板的控制信号将控制电压加到每只场管的栅极上,MOS场管开通,将主整和驱动级(包括二进制)电源的储能完全泻放在四个电阻上,达到保护设备、维护人身安全的作用。

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图5为放电回路早期图纸,该公司设计人员采用的100W10Ω(R13、R14、R15、R16)的放电电阻在实际使用中,会经常有IRFP360管子损坏、放电电阻烧毁的情况发生。后来HARRIS公司将其全部更换为250W40Ω后再无类似情况出现。
2.5 功率MOS管在其它地方的
-600发射机中功率MOS管的应用位置非常多,比如PB200射放的前级一缓冲级由4支IRL510功率MOS管两两构成两组推挽电路,一主一备各自完成将4~4.5Vp-p射频激励信号放大至15Vp-p的信号去推动驱动级(与RF 3XL射放模块相同电路)。在PB200功放单元的B+/B-开关电源中,输出可达65A的B-电源由四只IRFP448功率MOS管提供,输出20A的B+电源由两支Motorola生产的N型EMOS (Motorola称为TMOS)功率管MTW8N5E提供。其它功率MOS管应用的地方还有很多,在此不再一一列举。

3 结束语
由此可见,场管因为它速度快、功耗低、抗干扰等优点,在中波射放系统中得到了广泛的应用,特别是IR公司功率MOS管的出现及在DX中波发射机中的大量使用(DX-10中波机射放系统的模块采用IRFP350功率MOS管),使电子管完全退出了中波发射机,引领现代广播发射设备发生了深刻的变革。


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