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LDMOS结构特点和使用优势

作者:时间:2012-06-04来源:网络收藏

我们的第五代

采用专利的四层金属堆栈来进一步提升可靠度与平均无故障时间 (MTTF),而宽厚的 AlCu 金属化方式也比传统的 在相同 MTTF 下高了 25°C 的接点温度运作,如果于 160°C 的标准晶体管接点温度上,这项技术比传统 W-CDMA 运作应用的 可靠度高上四倍,MTTF 将超过 1000 年。

我们的 0.14 微米工艺能力可将技术更进一步优化,将 LDMOS 效能带到 LDMOS 效率的理论极限,在此之后,新的器件架构将着重于如何让 LDMOS 为新型态晶体管运作优化,并强化如 Doherty 等概念。

运作面:

绝佳的稳定性,由于负汲极电流温度常数,所以不受热散失的影响

比双载子更能忍受较高的负载未匹配现象 (VSWR),提高现场实际应用的可靠度

卓越的射频稳定度,在闸极与汲极间内置隔离层,可以降低回授电容

在平均无故障时间 (MTTF) 上有相当好的可靠度

LDMOS 的

技术面:

卓越的效率,可降低功率消耗与冷却成本

卓越的线性度,可将信号预校正需求降到最低

优化超低热阻抗,可缩减放大器尺寸与冷却需求并改善可靠度

卓越的尖峰功率能力,可带来最少数据错误率的高 3G 数据率

高功率密度,较少的晶体管封装

超低感抗、回授电容与串流闸阻抗,目前可让 LDMOS 晶体管在双载子器件上提供 7 bB 的增益改善

直接源极接地,提升功率增益并免除 BeO 或 AIN 隔离物质的需求

在 GHz 频率下拥有高功率增益,带来更少设计步骤、更简易更具成本效益的设计 (采用低成本、低功率驱动晶体管)。

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