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基于开放平台的i.Smart智能电话设计参考

作者:时间:2012-10-07来源:网络收藏

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/153861.htm

的关键特性

包括两个,即无线和应用子系统。

1.无线(i.250-21平台芯片组)

i.250 Innovative Convergence平台是一个全面的硅片到软件2.5G技术解决方案,包括:GSM/GPRS前端、功率放大器;单芯片基带处理器;功率管理、音频和充电电路;支持双频到四频;完全集成化的通信引擎软件。

平台支持GSM/DCS或GSM850/PCS双频操作,而且可升级成支持四频操作。它支持带Class 8/Class 10操作的GPRS多插槽,以适应GMSK调制格式。

所有这些由四个高度集成的主要芯片实现:DSP56631双内核基带处理器DD将DSP56600数字信号处理器和ARM7TDMI-S微控制器内核集成在一起;包括片上存储器、若干接收器用A/D转换器、一个接收(RX)和发送(TX)合成器、TX功率放大控制和一个语音编码解码器;嵌入式存储器既把对外部闪存的需求降到最低,也使当前平台所用的SRAM减到最小。嵌入式存储器还降低了系统功耗,延长了电池寿命。

MMM6022功率放大器模块DD带有天线开关的50欧姆TX功率放大器模块可用于四频和三频GSM手机应用,也能够在GSM850、EGSM、DCS和PCS发送和接收频段上发挥作用。

这种功率模块采用摩托罗拉的InGaP HBT技术,将一个单封装功率放大器、一个SP4T天线开关、若干谐波滤波器、若干耦合器和功率检测电路集成在一起。系统级封装(SiP)功能可以降低系统的总成本,同时也能用经过验证的芯片组来提高性能。

MC13777四频GPRS前端IC(射频电路)DD用于GSM/DCS和GSM850/PCS四频GPRS Class 10蜂窝无线电;接收器部分用于VLIF接收器或直接转换接收器(DCR);发射器部分用于直接发射传送器,并把TX VCO和缓冲放大器集成在一起;  摩托罗拉的主流射频BiCMOS技术和单一SiGe:C工艺的独特结合可望带来优越的高频性能。对灵敏的射频应用来说,SiGe:C提供了高增益、低电流和低噪音,在片上就可提供各种各样的高质量/高精度有源和无源器件,包括铜电感。因为它有助于实现系统级芯片解决方案,所以这一类技术把无线应用的成本效益提高到一个新水平。

MC13717集成化功率管理和音频电路DD摩托罗拉的高成本效益SMARTMOS技术奠定了这种集成化功率管理和音频电路的基础。一个中压混合信号BiCMOS工艺将高性能模拟电路、数字控制和功率器件集成在一起。



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