如图1所示为可见，SiGe技术在射频器件上的应用已经跟RF CMOS技术相当，有理由相信，下一步目标就是超越GaAs技术而占据主流。
本文总结
随着多种无线通信标准在手持设备上的应用，只有进一步降低射频功率放大器的功耗，才能延长便携式设备的电池使用时间，从而获得更加的用户体验。本文通过对射频功率放大器所采用的三种主要工艺技术进行的简要比较，指出未来的发展趋势在于采用SiGe工艺技术来制造射频功率放大器，这是无线电电子系统设计工程师需要关注的技术趋势。
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