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拥有快速写入和超高集成性能的下一代数据存储解决方案

作者:时间:2012-03-13来源:网络收藏

全球最大的纯闪存供应商Spansion日前宣布计划开发产品系列,MirrorBit® ORNAND™架构。基于SpaNSiON专有电荷捕获技术的新型MirrorBit ORNAND2™架构将在连接于NAND器阵列中采用类似SONOS的45nm单元,具有和高封装密度的特点--将NAND技术的和成本优势与300mm晶圆的成本结构优势发挥到最佳。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/149446.htm

基于新型架构的产品将主要面向闪存市场中的数据存储应用领域;在这种市场中,客户注重的是差异化、高价值的。新的架构将通过45nm系列扩大现有MirrorBit ORNAND产品系列;与Spansion 65nm的MirrorBit ORNAND产品相比,不但能将掩膜(mask layer)层的大小减少25%,其品质也远胜于浮动门NAND解决方案。MirrorBit ORNAND2产品预计将于2009年初投放市场。   新的架构基于Spansion专有MirrorBit技术DD目前,采用MirrorBit技术的解决方案总销售额达20亿美元,占整个NOR闪存市场的22%。通过采用通用的技术平台和利用40nm以下的MirrorBit技术具有的可扩展性优势,在同一晶圆厂中可以实现MirrorBit NOR、ORNAND和ORNAND2产品的高效生产。

Spansion研发事业部执行副总裁Lou Parrillo博士表示:“Spansion是唯一一家成功实现电荷捕获存储技术大量应用的公司。凭借我们专有的先进的MirrorBit技术、300mm晶圆生产能力以及预计与NAND相当的,我们能够进一步扩大已有产品组合,并加快MirrorBit技术的发展步伐。”

Spansion正利用在其专有MirrorBit技术应用的过程中所积累的经验来为MirrorBit ORNAND2技术开发一种专有的类似SONOS的存储单元。不同于此前业界生产商试图开发商用化SONOS存储单元而未获成功的情况,Spansion相信,通过架构性的革新和已获证明的生产技术相结合的独特方法,一定能实现最佳并加快投产的速度。

目标分析(Objective Analysis)总监Jim Handy表示:“随着技术在伸缩曲线上的日渐走低,传统的浮动门闪存在45nm及以下工艺中正逐渐失去竞争力。许多公司都提出将电荷捕获技术作为一种解决办法。Spansion的电荷捕获技术投产已达四年之久,使公司相较竞争对手而言占据先机。而Spansion基于类似于SONOS的存储单元结构的下一代MirrorBit ORNAND2架构必将进一步发挥这种领先优势,扩大公司在目前由NAND独霸天下的各个领域中的市场机会。”



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