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三菱电机锐意成为功率半导体市场的全球霸主

作者:时间:2012-07-06来源:电子产品世界收藏

  董事技术总监Gourab Majumdar博士日前在PCIM亚洲2012展上会见了记者,深入交流了未来的称霸计划,并回答了记者的提问。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/134314.htm

  在行业称霸

  的功率半导体产品,早已稳站全世界第一,因此,下一个目标是成为绝对第一,亦即要拉开与第二位的距离。具体来说,就是到2015年时,全球销售收入达到1,900亿日元的目标。从2010年到2011年间,公司在生产上,已投入了300亿日元,扩大全球销售及客户网络;加强研发,开发第七代和碳化硅功率器件,提高实用性;我们前年收购了Vincotech,将彼此的产品进行一个相加效应,在绿色能源方面发挥更大作用。

  在经营战略方面,公司在2010年以后特别注重成长,采取了两条腿走路的方式。一方面做强具竞争力的业务,调整相对弱项的业务;另一方面,就是以具竞争力的业务为核心,深化解决方案,比如以智能电网为例,这就是结合强项业务和强项产品的解决方案。

  三菱电机增强在中国国内的生产,除在原有的OEM工厂,生产外;在安徽省合肥市新设了一家合资企业,去年8月,今年1月份开始生产,主要产品是、工业用的

  三菱电机公司在2010年的销售收入与2011年相约,但是由于欧债危机,营业利润2011年比2010年略有下降,我们估计2012年上半年度,公司的业绩还不会恢复,我们期待着在2012年的下半年开始,公司的业绩有一个比较大的增幅。

  但在的市场份额上,自2008年全球性金融危机以后,三菱电机跑赢了整个市场,据调查公司提供的2011年数据来看,三菱电机IGBT的市场份额,大概是占全球三分之一左右。从销售区域来看,还是以日本为主,占49%,在亚洲由于中国空调的变频化,所以比前几年有所增长。由于今年受到全球经济萎缩的影响,估计销售可能比2011年下降。

  IGBT技术持续领先

  在功率半导体最新的技术发展方面,IGBT芯片技术一直在进步。第三代的IGBT是平板型的构造,第四代是一个勾槽型的构造,第五代成为CSTBT,第六代是超薄化。目前正在开发的第七代IGBT,试图把CSTBT的构造进一步优化,微细化、和超薄化,改善关断损耗对饱和压降的折中比例,提高功率半导体的性能。

  从性能系数(FOM)来看,第六代已比第一代提高了16倍。如果第七代通过减少无效区间、超微细化等工序,可提高26倍。

  在封装技术方面,在小容量消费类产品中,三菱电机采用了压注膜的封装办法。在中容量工业产品、混合动力和电动汽车的New-MPD产品中,采用了盒式封装。在大容量,特别是用在高铁上的产品中,采用了碳化硅铝的芯片,然后用盒式封装完成。

  今后开发的技术方向,就是朝新绑定技术、高性能、高功率密度化、和高Tj发展。对于高耐压的产品来说,提高高功率密度化、高功率循环和温度循环、提高产品的寿命和绝缘的电压,同时降低热抵抗。

  应用广泛、成本下降

  新产品系列有可以应用在风力、太阳能等大容量的IGBT,还有兆瓦级的器件上的New-MPD。

  在稳定性方面,新MPD的特征是实现了产品的高可靠性,它的功率循环是第六代IGBT的六倍,是市场上其他IGBT的10倍。通过提高输出电流和延长产品寿命,可以达到降低成本的目的。

  三菱电机推出了单一器件解决方案。在以往700千瓦—1兆瓦风力发电和500kW太阳发电机组的变流,需要6个功率器件并排来完成;但现在只要用一个功率器件就可以了。有效减少了功率器件的数量,实现了小型化、轻量化和低成本。

  对于混合动力汽车跟电动汽车,可采用J系列产品,使用了六合一的结构单元,同时具有驱动和保护电路。

  至于J系列的TPM,采用了二合一的结构,和IPM不同的是它没有搭载驱动跟保温电路,客户可以使用自己的驱动。另外,T-PM在IGBT上它还搭载了电流跟温度传感器。

  我们自主开发研制了绑定技术,称为直接模板绑定,好处是使基板上的温度分布平均。

  至于DIPIPM在家电上的应用,可以发挥节能效果。到目前为止,三菱电机生产的DIPIPM的节能效果十分可观。举例说,东京一年的家居用电量是21个千兆千瓦,而三菱电机的DIPIPM则已经节省了50千兆千瓦,亦即是东京两年的家居用电量。

  三菱电机的新产品——第五代DIPIPM,它的特点是搭载了(自觉二极管)和温度传感器的模拟输出。

  碳化硅优点多

  目前碳化硅半导体功率器件有四大优点:第一、工作温度范围比较大,在高温下也可工作;第二,低抵抗、耐高破坏性;第三、高频工作;和第四、散热性好(thermal conductivity)。碳化硅的功率器件用在系统上它有很多好处,功率的密度可以更高,体积可以更小,更加耐高电压压,设计容易,总体来讲可以提高功率半导体的效率,运用的领域可以更加广泛,更为方便。

  三菱电机利用碳化硅生产出来的第一个产品,就是使用在高铁上的变频器、家用空调上的DIPIPM、和风力发电变换器上的MOSFET器件。

  总括而言,功率半导体的技术发展方向,包括:第一、硅或碳化硅芯片技术的进步;第二、功率半导体里面搭载的各种功能;及第三、在封装技术上,可以通过压注膜或者是盒式封装,使功率半导体的寿命更长,稳定性更好,功率密度更大。


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关键词: 三菱电机 IGBT DIPIPM

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