美光宣布首个DDR4内存模组研发完成

　　虽然比起目前韩国双雄兼世界前两大内存/闪存设备生产商三星与SK Hynix慢了一步，但美光还是紧追不放在今日正式宣布该公司首个DDR4 DRAM模组研发完成。目前即将开始制造样品给主要客户送测，预计将于2013年正式进入市场。

　　根据内存标准化组织JEDEC的规划，服务器以及企业市场将于2013年最先尝到DDR4的甜头，它对比目前的DDR3内存拥有更高的频率和更低的工作电压。美光此次宣布的产品和台湾南亚科技共同研发，采用30nm制程工艺。单“条”内存模组拥有8块4Gbit DDR4颗粒，总容量4GBytes。可做成常见的台式机、SO-DIMM(笔记本)、RDIMM/LRDIMM(服务器)等常用封装并支持ECC，传输速度可达2400-3200MT/s，即等效运行频率2400-3200MHz。

　　美光在官方新闻稿中宣称，随着JEDEC对DDR4标准的制订最后完成，美光计划于2012年底开始批量生产新的DDR4颗粒。