Ramtron推出最低功耗非易失性存储器FM25P16

—— 其能耗仅为EEPROM 器件的千分之一

作者：时间：2012-03-08来源：中电网收藏

　　世界领先的非易失性铁电随机存取存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation (简称Ramtron) 宣布推出世界上最低功耗的非易失性存储器。该16 kb器件的型号为FM25P16，是业界功耗最低的非易失性存储器，为对功耗敏感的系统设计开创了全新的机遇。FM25P16是Ramtron低功耗存储器系列中的首个产品，其能耗仅为EEPROM 器件的千分之一，并具有快速读/写特性和几无乎无限次的耐用性。

本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/129962.htm

　　Ramtron市场推广副总裁Scott Emley表示：“非易失性F-RAM存储器的快速写入能力与创新性IC设计相结合，让我们可以实现迄今为止最低功耗的非易失性存储器，典型主动电流只有约3微安。通过采用Ramtron的低功耗F-RAM存储器，对功耗敏感的应用如无线传感器节点、远程仪表、保健产品以及新兴的能量收集应用等，就能够更频繁地写入数量级的数据，并同时降低系统功耗。”

　　Ramtron 低功耗存储器的优点随系统写入数据的次数更加频繁而大大增加，与串口EEPROM不同，FM25P16能够以总线速率执行写入操作而无写入延迟。这些能力使得FM25P16适用于同时要求极低功耗与频繁或快速写入特性的非易失性存储器应用。

　　关于FM25P16 低功耗存储器

　　FM25P16采用先进的铁电工艺，获得达到100万亿 (1e14) 读/写次数的几乎无限的耐用性，且数据能够可靠地保存10年。FM25P16采用快速串行外设接口(SPI)，以1MHz频率的全速总线速率运作。

　　特性

　　- 16Kb 铁电非易失性RAM，采用2,044 x 8位结构

　　- 无限的读/写次数

　　- 数据保存10年

　　- 无延迟 (NoDelay) 写入

　　超低功耗运作

　　- 1.8 至 3.6V 运作电压

　　- 3.2 μA (典型) 有效电流 100 kHz

　　- 1.2 μA (典型) 待机电流