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Intersil集成化开关稳压器简化电源设计

作者:Tu Bui时间:2011-10-13来源:电子产品世界收藏

  带温度补偿的过流保护

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/124443.htm

  表1所列的Intersil集成稳压器具有过流保护功能。高端功率P-沟道MOS的区域,对峰值电流进行监测。这可以防止外部噪声,而外部噪声可能需要增加额外的滤波器并延长保护响应时间,对于没有集成MOS的IC,情况常常如此。

  如果吸入电流过大,比较器将翻转,高端MOS被关断。除很强的抗噪声能力和过流保护功能外,稳压器具有的温度补偿功能也可以在整个允许的温度范围内保持相对恒定的极限值。温度每变化1ºC,大多数MOSFET的Rds(on) 将改变0.5%。对于采用外接MOSFET的方案——特别是使用外接MOSFET感应电流时——很难根据温度变化进行调节,除非增加额外的成本和/或电路的复杂程度。集成的稳压器可以根据MOSFET的变化方便地进行内部调节。与外接电路相比,功率器件和控制部分之间的热耦合更为紧密。带温度补偿的器件与不带温度补偿器件的比较如图4所示。

  

 

  图4. 典型4A器件的输出电流过载阀值

  注:

  l Overcurrent Protection:过流保护

  l Output Current:输出电流

  l Temperature:温度

  l Thermal Compensated:带温度补偿

  l Thermal Uncompensated:不带温度补偿

  其他先进的控制功能

  Intersil的集成化FET 转换器具有先进的控制功能,如表1所示。

  表1.

  



关键词: intersil FET DC/DC

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