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Rambus新技术:0.5纳秒极速内存开关

—— 有望为内存设备带来全新改变
作者:时间:2011-06-20来源:cnBeta收藏

  声名狼藉,不过在技术方面的确是有自己的一套。在东京召开的2011年超大规模集成电路讨论会上,就宣布了一种突破性的快速加电、低功耗时钟技术,有望为内存设备带来全新的面貌。配合40nm低功耗CMOS工艺,这种新技术能够让内存在0.5纳秒的时间内完成从零功耗待机状态到每个差分链接5+Gbps高速数据传输工作状态的转换,同时运行功耗仅仅2.4mW/Gb/s,也就是说全速工作的时候每秒也不过12mW。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/120585.htm

  为了改进服务器和移动系统的能效,人们一直在寻求降低内存子系统功耗的方法。服务器应用中面临的主要挑战是需要快速切入和切出最低功耗状态,而移动系统虽然支持多种电源状态,但是低功耗运行通常需要复杂的电源状态电路来配合完成。

  声称,他们研发的新技术能够避免这些弊端,实现内存子系统极快速地开关,而且可与SoC与内存界面、SoC与SoC连接相整合,从而缩短访问延迟、简化系统设计、降低整体系统功耗。



关键词: Rambus 内存开关

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