台积电称3D晶体管技术基础条件尚不成熟

　　台湾积体电路制造股份有限公司(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.,TSM,简称：台积电)周四表示，在2D芯片容量达到极限之前，公司不会启用3D晶体管技术生产半导体，而且3D技术的基础条件尚不成熟。

　　英特尔(Intel Co.,INTC)周三称，公司将一改在矽晶圆上创建2D集成电路的标准做法，转而采用3D晶体管生产技术。

　　英特尔表示，利用3D晶体管比简单采用新一代生产技术益处更多。

　　分析师们表示，上述计划或能帮助英特尔与竞争对手抗衡，之前，英特尔的芯片大多被高增长的智能手机市场拒之门外。

　　台积电目前采用28纳米技术生产芯片，该公司计划在2013年转用更先进的20纳米技术。

　　台积电研发部资深副总裁蒋尚义表示，自2003年以来公司一直在研发3D晶体管，但目前3D晶体管技术的工具和设计都还不成熟。

　　蒋尚义还称，当公司采用比20纳米制程更先进的芯片生产技术，而2D晶体管的容量已达到极限，才会考虑采用3D晶体管。

　　按收入计，台积电是全球最大的芯片代工企业。