新型数字电容隔离器提升了高性能标准
—— New digital, capacitive isolators raise the bar in high-performance
预计使用寿命
本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/117023.htm隔离器的预计使用寿命由经时击穿 (TDDB) 决定，其为一种二氧化硅等电介质材料的重要故障模式。由于制造带来的杂质和不完整性缺陷，电介质会随时间而退化。这种退化会由于电介质上施加的电场及其温度的上升而加快。预计使用寿命的确定是基于 TDDB E 模型，其为一种广受认可的电介质击穿模型。实际上，周围温度维持在 150oC 时，TDDB 由隔离器的施加应力电压决定(请参见图 5)。测试之初便激活一个计时器，其在隔离器电流超出 1 mA 时停止，表明电介质击穿。记录每个测试电压的故障时间，并根据理论 E 模型曲线进行绘图。
图6所示的 TDDB 曲线表明，电容隔离器的测试数据(时间为 5 年)完全匹配 E模型预测，从而得出在 400 Vrms (560 Vpk) 工作电压下 28 年的预计使用寿命，而相同电压下电感隔离器的预计使用寿命则小于 10 年。TDDB 曲线还表明，在 700 V 和 2.5 kV 之间电容隔离器的寿命比电感隔离器长约 10 倍。
若要达到 10 到 30 年的工业预计使用寿命，使用 SiO2 电介质的电容隔离器是实现这个目标唯一可行的解决方案。
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