安森美半导体在下一代SoC中应用高压标准单元技术

　　基于这些因素，从事这类项目的任何人都应当与在高压应用方面拥有丰富经验、并能够提供针对此目的优化的创新型工艺技术的半导体供应商合作。不采取这种举措可能产生的结果是生产的系统会不符合性能及长远性方面的目标。

　　安森美半导体开发的第三代I3TXX智能功率技术是一种使用0.35 µm BCD技术的高压平台，针对的是前沿的汽车、军事、医疗及工业应用要求的高压混合信号系统设计。这平台包含3.3 V门氧化物，且这平台的某些技术变异版本中还具备双门18 V能力。这平台还提供不同的隔离机制，包括P沟道沉降(P-sinker)、深阱及工作电压达62 V的深沟槽隔离。这技术系列提供丰富选择的基本IP。结温度范围为-40℃至150℃，最高可承受175℃。

　　安森美半导体的ONC18工艺是一种低成本、符合业界标准的0.18 µm CMOS技术，现在支持高达100 V电压工作。这具有完整特性的工艺包含1.8 V/3.3 V双门I/O、额定值及大容值的金属-绝缘体-金属(MIM)电容、电阻及六层金属构造。这工艺的结温度范围为-55℃至125℃, 最高可承受150℃。ONC18工艺非常适合用于开发结合了数字与混合信号功能的低功率、高集成度电路，能够创建包含高达1,000万逻辑门的ASIC。它能支持高达1.1 Mb同步单端口及512 kb双端口SRAM、或1.1 Mb高密度、低泄漏过孔(VIA)可编程只读存储器(ROM)的存储器能力。还提供EEPROM用于模拟微调或高达8kB的程序或数据存储器。

　　通过使用基于这类模块化技术平台的方法，有可能充分利用原打算用于较低压工艺的现有IP，因而将工程设计负担减至最低。这表示能在同一块芯片上应用高压及低功率功能，而其适宜性获得了证实。

　　本文介绍的高压标准单元方法使工程团队能够降低使用较高电压的设计的相关风险。因此，所建议设计的可靠性、性能基准及特性范围将符合期望，并证实所作投资的恰当性。