台积电推出0.25微米车用一次性可编程存储器硅知识产权

　　台积电今日宣布，推出通过美国汽车电子协会(Automotive Electronic Council, AEC)AEC-Q100产品规格验证标准的0.25微米车用一次性可编程存储器(One-time-programmable) 硅知识产权。

　　此一硅知识产权与TSMC的BCD (Bipolar-CMOS-DMOS)工艺、混合信号/模拟(Mixed signal/analog)工艺以及标准CMOS逻辑工艺完全相容，因此无需额外增加其他工艺步骤，提供车用电源管理及模拟产品系统单芯片制造一个理想的选择。

　　TSMC0.25微米车用一次性可编程存储器硅知识产权系通过AEC-Q100第一级 (AEC-Q100 grade1) 产品规格验证，包括良率电气特性测试的全面测试(Fully tested at multi-probe)以及能在摄氏125度的高温下资料保存(Data retention)能力达到10年的严格标准;进行资料读取作业(Read operation)的设定电压为7.5伏特，而实际编程操作的电压为5伏特。

　　TSMC系以自力旺电子公司所授权取得的位元储存格(Bit-Cell)结构技术为基础，开发出此一符合TSMC工艺及故障分析标准的0.25微米车用一次性可编程存储器硅知识产权。同时，提供电性分析及测试方法文件，以符合车用电子严格的安全标准要求。

　　TSMC车用电子项目处长郑国栋表示：「继推出通过AEC-Q100验证，针对微控制器(MCU)产品应用的0.25微米与0.18微米嵌入式闪存硅知识产权之后，TSMC又再推出此一0.25微米车用一次性可编程存储器硅知识产权，为客户提供更多的选择，满足对模拟讯号调整(Analog trimming)、校准设定(Calibration configuration)、加密设定(Encryptions keys)以及在客户端内完成客制化作业(In-field customizations)等日渐增加的需求。