Ramtron在2010年硅谷嵌入式系统大会上演示MaxArias无线存储器

Ramtron展示Gen2大存储器无线集成电路

世界顶尖的低功耗铁电存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation日前宣布，在硅谷嵌入式系统大会（Embedded Systems Conference）上展示MaxArias™无线存储器。该会议暨展览会在美国加利福尼亚州圣何塞的McEnery会议中心（McEnery Convention Center）举办。

在展会期间，Ramtron公司演示了其MaxArias产品系列的创新无线存储器技术。Ramtron的MaxArias™系列无线存储器将行业标准Gen2 RFID无线存取功能与其非易失性F-RAM存储器技术的低功耗、高速度和高耐久性特性相结合，可让亚洲乃至全世界的工程师使用高性能RF转发器（transponder）集成电路来发送、捕获和存储更多信息，从而扩大其系统的通信范围和存储器容量。

Ramtron公司的MaxArias无线存储器非常适合高价值资产追踪、药物追踪、制造和维护记录收集以及智能电表抄表等应用。

产品特性和优势

MaxArias无线存储器系列首批产品WM71004、WM71008和WM71016，其容量分别为 256/512/1024 x 16位，这些器件具有几乎无限的读/写次数(写入次数大约为1014次)，以及20年的数据保存期。就工作范围、持续的存储器访问带宽及可靠性而言，MaxArias无线存储器具有完全对称的读/写距离，达到Gen-2标准的最大数据速率。

Ramtron的MaxArias无线存储器具有超越传统基于 EEPROM的RF ID产品的独特优势，包括：

• 更高的射频灵敏度：WM710xx能实现零功耗写入运作，因而在执行写入时不会影响功率或速度。
• 更大的工作范围：使用低功耗F-RAM的MaxArias无线存储器具有10米或更大范围的对称无线读/写功能
• 出色的写入速度：MaxArias无线存储器的速度较EEPROM快六倍，能够实现整个存储区块的写入运作，更快地存储更多的数据，免除基于EEPROM 的器件的“预备时间”(soak time)限制
• 区块写入完整性：Ramtron的SureWrite™ 特性可确保数据完整性，防止在全区块写入期间出现数据损坏
• 磁场和伽玛辐射耐受能力：由于F-RAM器件完全不受磁场的影响，并具有高伽玛辐射耐受能力，MaxArias无线存储器是需暴露于磁场或辐射干扰之应用的理想选择。

WM710xx MaxArias无线存储器能在整个工业温度范围运作(-40°C 至+85°C)，并备有几种配置，包括标准RoHS兼容6脚UDFN封装、凸块硅片、裸片，或经全面测试的符合ISO-18000-6C标准的电子标签。

要了解有关 MaxArias无线存储器的更多信息，可从以下网址获取白皮书和数据表 www.ramtron.com/go/maxarias.

关于MaxArias无线存储器解决方案

Ramtron的首个MaxArias无线存储器系列结合了最高16-Kb的高性能非易失性F-RAM存储器和EPC global Class-1 Generation-2 UHF无线接口协议标准，运作频率为860MHz 至 960MHz。结合优化的天线设计，MaxArias WM710xx产品系列可以由射频场感应出的能量来供电。根据Gen-2标准，MaxArias芯片可接收和处理通过RFID读卡器传输的指令。

关于Ramtron International

 Ramtron International 总部设在美国科罗拉多州Colorado Springs市，是专门设计、开发和销售专用半导体存储器和集成半导体解决方案的无晶圆厂半导体公司，产品广泛用于各种应用和全球市场。要了解更多信息，请访问公司网站www.ramtron.com 。要获取300-dpi精度产品照片，请访问网页 www.ramtron.com/press-center/image-bank.aspx (参见MaxArias无线存储产品)。

安全规避声明

以下为依照美国私人证券法1995年修订案规定而发出的“安全规避”声明：本文中所有还不是历史事实的声明均为“前瞻性声明”，这些“前瞻性声明”可能涉及风险、不确定性和假设，而实际的结果或成果也可能与这些前瞻性声明的预计结果出现重大的差异。具体的前瞻性声明包括有关2010年第一季全面生产WM710xx无线存储器产品的陈述。如要探讨这些风险，请参考Ramtron提交给美国证券交易委员会(SEC)的文件。本新闻稿中的前瞻性声明是在新闻稿的日期所做出的，Ramtron明确表示没有任何更新或修改此处前瞻性声明的义务或职责。