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USB 3.0电路保护方案

作者:Matt Williams 泰科电子瑞侃电路保护产品部全球应用工程经理时间:2010-03-02来源:电子产品世界收藏

  与多数传统MLV(多层变阻器)或TVS(瞬态电压抑制)二极管技术相比,PESD器件具有更低的电容,而其低触发电压和低钳位电压也有助于保护敏感电子元件。该器件适用于USB2.0的高速D+和D-信号线和USB 3.0的SuperSpeed信号线。在电路保护设计方案中增加PESD器件可以实现满足IEC61000-4-2标准要求的保护水平,该标准规定接触模式为8kV (典型)/15kV(最大),规定空气放电模式为15kV(典型)/25kV(最大)。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/106465.htm

  协同电路保护

  协同电路保护设计可用于改善对USB应用中大电流、高电压和ESD瞬态的保护。图5和图6给出了USB 3.0设计方案需要的附加电路器件,并与USB 2.0设计方案进行了比较。

  器件推荐

  PolySwitch器件可以帮助设计人员满足USB 3.0规范的大电流要求并提供简单、节省空间的解决方案。PESD器件具有高速数据传输应用所需的低电容(一般为0.2pF)和电子行业最普遍的外形尺寸。PolyZen器件能为设计人员提供传统钳位二极管的易用性,又不需要大量的散热。这种单一器件有助于对使用不正确电源提供保护,也能防止因过流事件而造成损伤。

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