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2004年6月7日,瑞萨推出HAT1125H P-通道功率MOSFET

作者:时间:2010-01-12来源:电子产品世界收藏

  2004年6月7日,发布HAT1125H–30V击穿电压P沟道功率。与先前的产品相比,HAT1125H的导通电阻大约减小了25%,是业界导通电阻最低的工业标准SOP-8尺寸小型表面安装封装产品。由于其损耗很低,将有助于设计小型、节省空间的系统。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/104953.htm


关键词: 瑞萨 MOSFET Renesas

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