高通与TSMC在28纳米工艺技术上携手合作

　　高通与台积电1月7日共同宣布，双方正在28纳米工艺技术进行密切合作。此先进工艺世代可以更具成本效益的将更多功能整合在更小的芯片上，加速无线通讯产品在新市场上的扩展。

　　小尺寸与低功秏是高通公司包括Snapdragon芯片组平台在内的下世代系统单芯片解决方案之重要特色。奠基于双方长久的合作关系，高通与台积电正携手将产品从45纳米工艺直接推进至28纳米工艺。

　　台积电全球业务暨行销副总经理陈俊圣表示，台积电一向致力于提供客户先进技术平台及设计生态系统，我们的28纳米工艺平台可以为崭新世代的产品带来更多高效能、低耗电的产品体验。我们很高兴能与全球通讯领导厂商-美商高通公司携手合作，使得更多使用者的新体验得以实现。

　　高通资深副总裁暨高通通讯科技总经理Jim Clifford表示，高通藉由领先业界的整合、兼具功耗及成本效益的产品，为客户带来「利用最少资源，获得更多效益」的重要优势，其关键在于与台积电的紧密合作。高通藉由整合式无晶圆制造模式及不断跨入更先进工艺，将持续为全球的移动电话、智能手机、智能笔记本电脑等用户带来最佳的移动通讯体验。

　　高通与台积电过去在65纳米与45纳米工艺技术合作十分密切，现在更进一步延伸至低耗电、低漏电的28纳米世代进行量产。28纳米工艺密度可较前一代工艺高出一倍，让执行移动运算的半导体元件能在更低耗电下提供更多功能。高通与TSMC目前在28纳米世代的合作包括高介电层/金属闸(high-k metal gate, HKMG)的高效能工艺技术以及具备氮氧化硅(silicon oxynitride, SiON)的低耗电高速工艺技术。此外，高通预计于2010年年中投产首批 28纳米产品。

　　高通整合无晶圆厂制造模式(Integrated Fabless Manufacturing;IFM)成功的关键，乃是与策略性技术及集成电路制造伙伴密切合作，这不但展现极高的效率，也加速整个产业的技术发展。