用于确保信号完整性的ESD保护器件新结构
然而，目前HDMI接口已经发展至1.3版本，其速率已经远远高于最初版本规定的速率。为了进一步满足高速数据接口对ESD保护器件的新要求，日本Tateyama Kagaku工业股份有限公司提出了一种具有0.2pF(±0.1pF)超低电容的ESD保护器件的结构，如图3所示。
本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/101086.htm
这种结构的独特之处在于采用了铝基厚膜片，从而制成具有很高机械强度的薄膜结构。此外，因为采用了薄膜丝印电容制作工艺，可以实现超低的电容。
另一方面，Littlefuse公司提出了一种绝缘的压变材料(VVM)，当遇到ESD瞬间冲击时，VVM变为导通并把冲击旁路到地。在ESD被消耗之后，该材料恢复绝缘状态。其核心技术在于采用了聚合体混合材料，把金属离子和半导体粒子在电容的两个电极之间混合，从而创造极低的电容值，如图4所示。
Littlefuse提供的基于VVM材料的PulseGuard ESD抑制器件的特点在于，一方面对ESD敏感的IC提供可靠的钳位保护，另一方面提供低至0.05pF的超低电容。这是现今业内宣称最低的ESD保护器件的电容值。
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